MUR8120D是一款由ON Semiconductor生产的高性能双极性功率二极管,专为高频率开关电源应用而设计。该器件采用了先进的平面硅整流器技术,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
最大重复峰值反向电压(VRRM):1200V
最大平均整流电流(IF(AV)):8A
正向压降(VF):典型值1.35V(在8A时)
峰值浪涌电流(IFSM):150A
工作温度范围:-55°C至+175°C
存储温度范围:-55°C至+175°C
MUR8120D的主要特性包括其高效的能量转换能力和出色的热稳定性。由于其低正向压降,该器件在高负载条件下能够显著减少导通损耗,从而提高整体系统的效率。
此外,MUR8120D的快速恢复时间使其非常适合用于高频开关电路中,能够有效降低开关损耗并减少电磁干扰(EMI)。这一特性也使它能够在硬开关条件下表现出色,确保了系统运行的可靠性。
封装方面,MUR8120D采用TO-220AB封装形式,具备良好的散热性能,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。这种封装还提供了优良的机械强度和电气绝缘性能,适合工业级应用需求。
该器件还具备较强的过载能力,能够承受瞬时大电流冲击而不损坏,提高了系统在异常工况下的稳定性。
MUR8120D广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源、DC/DC转换器、逆变器以及不间断电源(UPS)等。其优异的高频特性使其成为通信电源和工业控制设备中的理想选择。
在太阳能逆变器和电动车充电系统中,MUR8120D也能发挥重要作用,提供稳定的整流功能并提升能源转换效率。此外,在电机驱动和自动化控制系统中,该器件可用于保护电路或作为续流二极管使用,确保系统安全可靠地运行。
MUR8120, MUR8120T3G