MUR610CT 时间：2025/12/26 19:30:30 阅读：13

MUR610CT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双共阴极肖特基势垒二极管，广泛应用于中等功率的整流和续流电路中。该器件采用平面技术制造，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各类电源管理电路。MUR610CT封装在TO-220AB或类似的大功率塑料封装中，具备良好的热性能和机械稳定性，能够承受较高的工作温度和电流负载。其双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极连接，从而简化PCB布局并提高电路效率。这款二极管特别适合用于需要高效能、低损耗的电源系统设计中，尤其是在要求高效率和紧凑设计的应用场合表现出色。
　　MUR610CT的设计符合工业级可靠性标准，并通过了多项国际认证，包括环保RoHS指令。由于其优异的电气特性和稳健的封装结构，该器件常被用于通信设备电源、消费类电子产品、工业控制电源及照明驱动等领域。此外，其较低的反向漏电流和较高的峰值重复反向电压能力使其在高温环境下仍能保持稳定运行，进一步增强了系统的可靠性和寿命。

参数

类型：双共阴极肖特基二极管
　　配置：双二极管共阴极
　　最大平均整流电流：6.0 A（每芯片）
　　峰值重复反向电压：100 V
　　最大正向压降：0.875 V（在6.0 A时，典型值）
　　最大反向漏电流：1.0 mA（在100 V，125°C时）
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　反向恢复时间：典型值为30 ns
　　封装形式：TO-220AB
　　安装类型：通孔（Through-Hole）

特性

MUR610CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通电压，减少了功率损耗，提高了整体转换效率。在典型的6A工作电流下，其正向压降仅为0.875V左右，远低于普通快恢复二极管或标准整流二极管，这意味着在大电流应用中可以有效减少发热，提升系统能效。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可忽略的反向恢复电荷（Qrr），这使得MUR610CT非常适合高频开关电源拓扑结构如Buck、Boost和Flyback转换器中的续流与整流功能。
　　该器件的双共阴极结构设计优化了PCB布线，减少了寄生电感和电磁干扰（EMI），同时便于散热管理。每个二极管芯片可独立承载6A的平均整流电流，在并联使用时总电流能力更强。其TO-220AB封装具有优良的热传导性能，可通过外接散热片将热量迅速导出，确保长时间高负荷运行下的可靠性。MUR610CT还具备出色的瞬态过压承受能力，额定峰值重复反向电压达100V，可在突发电压波动时保护后级电路。
　　在环境适应性方面，MUR610CT的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其不仅适用于常规工业环境，也能在极端高低温条件下稳定工作。器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代绿色电子产品的设计要求。此外，其低反向漏电流特性在高温环境下表现尤为突出，即使在125°C高温下反向漏电流也控制在1mA以内，避免了因漏电增加而导致的功耗上升和热失控风险。综合来看，MUR610CT是一款高性能、高可靠性的功率肖特基二极管，适用于对效率、体积和稳定性均有较高要求的电源系统设计。

应用

MUR610CT广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在DC-DC转换器中作为输出整流二极管或续流二极管使用，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。它常见于服务器电源、电信设备电源模块、工业自动化控制系统电源单元以及UPS不间断电源等对能效和稳定性要求较高的场合。由于其高频响应能力和低正向压降特性，该器件也被广泛用于PWM调制电路中的自由轮转（freewheeling）路径，有效防止电感反电动势损坏主开关管。
　　在AC-DC适配器和充电器设计中，MUR610CT可用于次级侧整流环节，尤其适合输出电压较低但电流较大的应用场景，例如12V/5A或5V/6A的输出规格。其双共阴极结构有利于简化双路输出或多相整流电路的设计，减少元件数量和PCB空间占用。此外，该器件还可用于逆变器电路中的钳位和保护功能，吸收感应负载断开时产生的反向能量，保护IGBT或MOSFET等功率开关器件。
　　在LED照明驱动电源中，MUR610CT可用于隔离式反激变换器的次级整流，帮助实现高效率和长寿命。其良好的热稳定性确保在密闭灯具环境中长期运行不发生性能衰减。同时，该器件也适用于太阳能微逆变器、电机驱动板以及各种便携式设备的电源管理系统中，作为关键的功率整流元件发挥重要作用。