型号：MUR1605CT
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：16A（每芯片8A）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms半正弦波）
　　直流阻断电压（VR）：60V
　　最大正向压降（VF）：0.54V @ 1A, 25°C（典型值），0.97V @ 8A, 125°C（最大值）
　　反向漏电流（IR）：0.5mA @ 60V, 25°C（典型值），500μA @ 60V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB 或类似功率封装
　　安装方式：通孔（Through-Hole）
　　引脚数：3
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.5°C/W（典型）
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于30ns（表现为软恢复特性）
　　焊接温度（最高）：260°C，10秒（引线顶部）

MUR1605CT的核心特性源于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体接触形成整流结，而非传统的PN结，因此具备显著更低的正向导通压降。这一特性使得在大电流条件下功耗大幅降低，尤其在低压大电流输出的应用中表现尤为突出，例如在5V或3.3V输出的DC-DC转换器中，可以显著提升系统效率并减少散热需求。此外，由于肖特基二极管本质上是非载流子注入型器件，其反向恢复电荷非常小，几乎不存在少子存储效应，因此反向恢复时间极短，通常小于30ns，表现出接近理想的开关行为。这使其非常适合用于高频开关电源中作为续流或整流二极管，可有效降低开关节点的振铃现象和电磁干扰（EMI）。
　　MUR1605CT集成了两个独立的肖特基芯片共阴极连接，便于同步整流拓扑或双通道应用中的布局布线，简化了PCB设计并提高了功率密度。每个芯片额定持续正向电流为8A，在良好散热条件下总输出可达16A，具备较强的电流承载能力。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业控制、通信电源及汽车电子等严苛应用场景。同时，其高达150A的峰值浪涌电流能力确保了在瞬态负载或启动冲击下的可靠性。封装方面，TO-220AB提供了优良的机械强度和热传导性能，可通过散热片进一步增强热管理。该器件还具有低寄生电感和电容的设计特点，有助于减少高频工作时的动态损耗。最后，MUR1605CT符合国际环保标准，无铅且符合RoHS指令，适用于现代绿色电子产品制造流程。

MUR1605CT广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高效率和高频率操作的场合。它常被用作输出整流二极管，在隔离式和非隔离式DC-DC转换器中实现高效的低压大电流整流，例如在服务器电源、电信设备电源模块以及工业电源单元中发挥关键作用。在同步整流尚未普及或成本受限的设计中，MUR1605CT凭借其低正向压降优势成为理想的替代方案。此外，该器件也适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和推挽式（Push-Pull）拓扑中的次级侧整流环节，能够有效降低传导损耗并提高整体能效。在不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能微逆系统中，MUR1605CT可用于续流和箝位功能，保护主开关器件免受电压尖峰影响。由于其快速响应特性，也可用于防止感性负载关断时产生的反向电动势造成电路损坏，常见于电机驱动、继电器驱动和电磁阀控制电路中。在汽车电子领域，尽管其并非AEC-Q101认证器件，但在部分车载辅助电源系统中仍可使用，前提是满足相应的热设计和可靠性要求。另外，该器件还适用于电池充电器、LED驱动电源以及各类消费类大功率适配器中，作为主整流元件提升能源利用率。得益于其坚固的封装和宽温度范围，MUR1605CT也能胜任恶劣工业环境下的长期运行任务。

MBR1645CT
　　SB1640CT
　　SS1645CT