Q20D 时间：2025/9/6 23:39:49 阅读：20

Q20D 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高效率功率转换系统中。Q20D以其高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性著称，适合在中高功率应用中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A（在TC=25℃时）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.35Ω（最大值0.45Ω）
　　栅极电荷（Qg）：典型值23nC
　　输入电容（Ciss）：典型值920pF

特性

Q20D 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有出色的导通性能和热管理能力。其导通电阻 RDS(on) 最大值仅为0.45Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。在200V的漏源耐压下，Q20D 能够可靠地工作于多种高电压应用场景。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度和可靠性的设计。此外，Q20D 的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V驱动电路，同时也可在较低的栅压下工作，兼容多种控制芯片。
　　其栅极电荷（Qg）典型值为23nC，确保了较快的开关速度，降低了开关损耗。输入电容Ciss为920pF，有利于在高频应用中保持稳定的工作状态。Q20D 还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。
　　整体来看，Q20D 在高电压、中等电流应用中表现出色，是电源管理和功率控制领域的理想选择。