时间：2025/8/28 15:12:31
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MUN5213DW1T1 是一款由ON Semiconductor生产的双N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效率、高频开关的电源管理和负载开关电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关性能，适用于电池供电设备、DC-DC转换器、马达驱动和逻辑接口电路等应用场景。该器件采用SOT-363封装，适合于空间受限的设计。
类型：MOSFET（双N沟道增强型）
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：每通道100mA
导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω @ VGS=4.5V
栅极电荷（Qg）：5.2nC
封装类型：SOT-363
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
MUN5213DW1T1 的主要特性包括其采用Trench沟槽MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于其低输入电容和栅极电荷，该MOSFET具有快速的开关响应能力，适合用于高频开关应用。该器件的双N沟道结构设计使其能够在单一封装内实现两个独立的开关功能，从而节省了PCB空间并简化了电路设计。此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD保护）和过热保护特性，进一步提高了其在恶劣工作环境下的可靠性。MUN5213DW1T1 还具备低阈值电压特性，使其能够与多种逻辑电平控制器直接连接，无需额外的栅极驱动电路。
MUN5213DW1T1 MOSFET常用于电池供电设备中的负载开关控制，以延长电池寿命。它也适用于DC-DC转换器中的同步整流开关、马达驱动电路中的H桥开关、LED背光驱动电路、逻辑接口电路以及各种便携式电子设备中的电源管理应用。由于其SOT-363封装的小巧尺寸，特别适合于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和手持式仪器等。
MUN5211DW1T1G, MUN5212DW1T1G, FDC6303
