MUBW2006A6K 时间：2025/8/5 13:50:57 阅读：31

MUBW2006A6K 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，适合在电源转换、DC-DC 转换器、负载开关以及马达驱动等电路中使用。

参数

类型：MOSFET (N-Channel)
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.0mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　功率耗散（Pd）：80W

特性

MUBW2006A6K 具备多项显著的技术特性，首先其导通电阻非常低，典型值仅为 6.0mΩ，这使得在大电流工作条件下，MOSFET 的功率损耗大大降低，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压额定值为 60V，能够适用于中高功率的开关应用。MUBW2006A6K 还具备良好的热性能，采用 TO-252（DPAK）封装，散热性能优越，有助于在高电流负载下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，具有良好的栅极抗静电能力，避免在使用过程中因静电放电（ESD）而损坏器件。同时，其最大连续漏极电流为 20A，适用于较高功率的负载控制。MUBW2006A6K 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业、汽车电子及消费类电子产品。

应用

MUBW2006A6K 适用于多种电子系统中，尤其是在需要高效率和高电流能力的电源管理领域。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、马达驱动器以及电源模块等。在汽车电子领域，该器件可被用于车载充电系统、LED 照明驱动和电动助力转向系统等。此外，由于其出色的开关性能和耐用性，也广泛应用于工业控制设备、电源适配器和不间断电源（UPS）系统中。