MUBW20-06A6K 时间：2025/8/6 10:28:40 阅读：32

MUBW20-06A6K 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高电流和高电压控制的电源应用。该器件采用先进的沟槽栅极和电场缓冲器（STripFET?）技术，优化了导通电阻和开关性能，适合在电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id：20 A
　　导通电阻 Rds(on)：47 mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220（具体封装可能因版本不同而略有差异）
　　功率耗散：125 W

特性

MUBW20-06A6K 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。其采用的 STripFET? 技术提供了卓越的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式（如 TO-220）具备良好的散热能力，适用于需要高功率密度的设计。MUBW20-06A6K 还具有较强的抗雪崩能力和过载保护功能，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。
　　该 MOSFET 支持快速切换，适用于高频率开关电源设计，同时具备良好的线性工作区性能，适合用于负载开关和电机控制等应用。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，便于设计和集成。

应用

MUBW20-06A6K 常用于各类电源管理电路，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。它特别适用于需要高效能和高可靠性的工业控制、汽车电子、消费类电源适配器以及电池管理系统。
　　在服务器电源、电信设备和不间断电源（UPS）中，MUBW20-06A6K 可作为主功率开关或同步整流器，提高系统效率并减少发热。在汽车电子系统中，它可以用于电机控制、车灯调光、车载充电器等场景。
　　由于其高耐压和高电流能力，MUBW20-06A6K 也适用于需要高功率密度的便携式设备和工业自动化设备中的功率开关应用。