MU18BCHTX-BOTTLE 是一款由 ON Semiconductor 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,以实现低导通电阻和高开关性能,适用于各种工业、消费类电子和汽车应用。该器件采用表面贴装封装(SxP),便于自动化生产和节省PCB空间。
类型:功率MOSFET
封装:SxP(表面贴装)
最大漏极电流:18A
最大漏源电压:30V
导通电阻(Rds(on)):0.022Ω @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):19nC
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装
MU18BCHTX-BOTTLE 的核心优势在于其卓越的导通性能和开关效率。采用先进的沟槽式MOSFET结构,使其在30V工作电压下具有极低的Rds(on)值,仅为0.022Ω,这大大降低了功率损耗并提高了系统效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)为19nC,这一数值较低,有助于实现更快的开关速度,从而降低开关损耗,适用于高频开关应用。
其SxP封装形式不仅节省PCB空间,还提供了良好的热管理和机械稳定性,适合高密度电源设计。此外,该器件具有优良的抗雪崩能力和热稳定性,能够在严苛环境下可靠运行,确保长期稳定工作。
该MOSFET的工作温度范围宽,从-55°C至150°C,适用于各种环境条件下的应用。其表面贴装封装也便于自动化装配,提高生产效率并降低制造成本。
MU18BCHTX-BOTTLE 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、电源适配器以及各类工业自动化和控制设备。此外,它也适用于需要高效能、低功耗特性的消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑、智能电源插座和LED照明系统。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、电动工具和车载DC-DC转换器等应用场景。
Si7163DP-T1-GE3, FDS6675CZ, NVTFS5C471NL