时间：2025/8/13 14:32:47
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LMURH840G是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管，采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和高开关性能。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用，如DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统。LMURH840G采用了TDFN（Thin Dual Flat No-lead）封装，具备良好的热管理和空间利用率，适用于表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8.4A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：14.5mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：14nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TDFN 8引脚
功率耗散（Ptot）：3.1W
LMURH840G具备多项先进特性，使其在各种电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下具有最小的功率损耗，从而提高系统效率并降低散热需求。此外，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频操作场景。
该器件采用TDFN封装，不仅提供优良的热管理能力，还实现了紧凑的PCB布局设计。其封装设计符合RoHS环保标准，适合现代电子设备的绿色制造需求。LMURH840G的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和4.5V驱动电压，从而提高了与不同栅极驱动器的兼容性。
此MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性，适用于高要求的工业和汽车应用。其工作温度范围宽广，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。此外，LMURH840G的制造工艺符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于车载电子系统。
LMURH840G广泛应用于多种电源管理系统和电子设备中。其主要应用包括：高效DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其优异的导通性能和高频开关能力，该器件也适用于便携式电子设备中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源转换电路。
在汽车电子领域，LMURH840G可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）以及车灯控制系统。其符合AEC-Q101标准的特性使其成为汽车应用中的可靠选择。此外，该MOSFET还可用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统的功率开关，以提升整体系统的能效和稳定性。
STL33DN03L, FDS4410A, IRF7430, BSC080N03LS
