类型: N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 100V
　　最大漏极电流(Id): 180A (25°C)
　　导通电阻(Rds(on)): 10mΩ
　　封装类型: TO-263（D2Pak）
　　工作温度范围: -55°C 至 175°C
　　栅极电荷(Qg): 220nC
　　功率耗散(Pd): 420W
　　最大栅极电压(Vgs): ±20V
　　漏极-源极击穿电压(Vbr): 100V
　　漏极-源极饱和电流(Idss): 180A
　　热阻结至外壳(RthJC): 0.4°C/W
　　热阻结至环境(RthJA): 1.0°C/W

MU18-10RHTK 的核心特性包括其高电流能力和低导通电阻。该器件的10mΩ Rds(on)值显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，该MOSFET采用TO-263表面贴装封装，适用于自动组装工艺，并具有良好的热性能，有助于在高功率应用中实现有效的散热。
　　该MOSFET的高雪崩能量承受能力确保了在瞬态过电压条件下的可靠性。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，允许直接与微控制器或其他数字电路接口。此外，该器件具有快速开关能力，使其适用于高频操作环境，如开关电源和逆变器电路。
　　为了确保长期的稳定性和可靠性，MU18-10RHTK 经过了严格的测试和认证，符合RoHS标准，并具有高抗湿热和抗震动性能。这些特性使其成为工业自动化、电动汽车和可再生能源系统等要求苛刻应用的理想选择。

MU18-10RHTK 广泛应用于需要高功率密度和高效率的场合。常见的应用包括电动汽车的电池管理系统、DC-DC升压/降压转换器、不间断电源（UPS）、工业电机控制、逆变器、太阳能逆变器以及大功率开关电源。该MOSFET还可用于高电流负载的开关控制，如电动工具和重型设备中的功率调节系统。

IXFN180N10T | IRFP4468PbF | SiR180LD | STP180N10F7 | FDP180N10A