类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　漏极电流（Id）：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

MU14-250DMHTK 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的击穿电压能力，使其适用于中高压应用。该MOSFET采用TO-263封装，提供了良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
　　另一个关键特性是其良好的热稳定性和耐用性。这使得MU14-250DMHTK能够在高温和高电流条件下稳定运行，而不会出现显著的性能下降或热失控问题。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关电路，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　该MOSFET还具备较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业级和汽车级应用。其封装设计符合RoHS环保标准，能够在恶劣的工业环境中保持稳定运行。此外，该器件具有较强的抗干扰能力，能够有效抵抗外部电磁干扰，提高系统的可靠性。

MU14-250DMHTK 广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能功率管理的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动电路、逆变器、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化设备。此外，该MOSFET也适用于照明控制、电池管理系统（BMS）以及电动车充电系统等应用领域。
　　在电源设计中，该器件可用于高侧或低侧开关，提供高效的能量转换。在马达控制中，MU14-250DMHTK 可以用于H桥驱动，实现精确的速度和方向控制。由于其高可靠性和耐久性，它也被广泛用于汽车电子系统，如车载充电器和电池管理系统。另外，在太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET能够提供稳定的功率转换性能。

IRFZ48N、FDPF14N25、SiHF14N25