时间：2025/9/14 15:15:33
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BUK965R8-100E,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。它广泛用于汽车电子、工业控制、电源供应器以及DC-DC转换器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：220A（在Tc=25°C）
功耗(Pd)：300W
导通电阻(Rds(on))：5.8mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
极性：N沟道增强型
BUK965R8-100E,118 MOSFET具备多项卓越特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）仅为5.8毫欧，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件能够承受高达220A的连续漏极电流，在高负载条件下依然保持稳定性能。此外，其最大漏源电压为100V，适用于中高压电源系统。
这款MOSFET采用先进的沟槽（Trench）技术，优化了芯片结构，提升了电流密度和开关性能。同时，其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至20V驱动，兼容多种驱动器IC，增强了系统设计的灵活性。
BUK965R8-100E,118 MOSFET主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电子系统中。常见应用包括汽车电池管理系统（BMS）、电动车辆（EV）充电模块、工业电源、服务器电源供应器、DC-DC转换器、负载开关电路、电机驱动器以及各种高功率数字电源设计。由于其优异的导通性能和高电流承载能力，该器件特别适用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统。
在汽车电子领域，该MOSFET常用于车载逆变器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池保护电路。在工业自动化方面，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和工业机器人等高可靠性设备的电源控制部分。此外，在太阳能逆变器、储能系统以及不间断电源（UPS）中，BUK965R8-100E,118也发挥着重要作用，确保系统在高负载条件下稳定运行。
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"BUK955R8-100E,118",
"BUK9YR8-100E,118",
"IRF3205",
"SiR178DP",
"FDS4410A"
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