MTW8N50E 时间：2025/9/3 16:58:33 阅读：16

MTW8N50E 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压和优异的热性能，适用于多种高功率应用场景。MTW8N50E 封装形式为TO-252（也称为DPAK），便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　Rds(on)（最大值）：1.2Ω（在VGS=10V条件下）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

MTW8N50E 具备多项优良特性，适合用于高效率、高可靠性的电源系统。其主要特性如下：
　　首先，MTW8N50E 的最大漏极电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率转换器和电机控制电路。其次，该MOSFET的最大漏极电流为8A，能够在较大负载条件下稳定工作。
　　此外，MTW8N50E 的导通电阻Rds(on)最大为1.2Ω，在VGS=10V的驱动条件下，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得它在DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动器等应用中表现出色。
　　该器件的栅极电压范围为±30V，具有良好的抗静电能力和稳定性，能够适应较为复杂的电气环境。同时，其最大功耗为50W，具备良好的热管理能力，在高负载运行时仍能保持稳定。
　　封装方面，MTW8N50E采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和维修。

应用

MTW8N50E 广泛应用于多个领域，包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、服务器电源和工业电源模块，用于高效能、低损耗的功率转换。
　　2. DC-DC转换器：适用于通信设备、汽车电子和嵌入式系统中的电压调节和功率管理。
　　3. 电机驱动与控制：如无刷直流电机（BLDC）驱动器、风扇控制器和电动工具控制电路。
　　4. LED照明驱动器：用于恒流源控制和调光电路，提供高效、稳定的电源管理。
　　5. 家用电器：如电磁炉、电饭煲等高功率小家电中的功率开关元件。
　　6. 工业自动化设备：如PLC、变频器和传感器供电系统中的功率开关。