MTW7N80E 时间：2025/12/29 14:12:52 阅读：9

MTW7N80E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件设计用于高电压和高电流应用，具有优异的导通性能和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：7A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：800V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

MTW7N80E具备高耐压能力，其800V的漏极-源极击穿电压使其适用于高电压环境，例如工业电源和离线电源设计。该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了在高电压下的稳定性和可靠性。
　　此外，MTW7N80E的导通电阻较低，能够在较高电流下保持较低的导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度下正常工作，适用于紧凑型设计中对散热要求较高的场合。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至30V栅极驱动电压，方便与多种驱动电路兼容。同时，它具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供更好的保护。
　　在封装方面，MTW7N80E通常采用TO-220或D2PAK等标准封装形式，便于安装和散热，适用于多种PCB布局设计。

应用

MTW7N80E广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、马达驱动电路、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高电压耐受能力和良好的导通性能，它也常用于需要隔离和高效能转换的电源管理系统中。此外，在家用电器和消费类电子产品中，该器件也可用于负载开关、电池管理和电源控制等功能。