1PS70SB86 是一款由 Infineon(英飞凌)公司生产的射频(RF)开关二极管,属于 PIN 二极管类别。该器件专为高频应用设计,适用于需要快速切换和低插入损耗的场景,如通信系统、天线调谐、信号路由和测试设备等。1PS70SB86 采用表面贴装封装(SMD),具有良好的高频性能和可靠性。
类型:PIN 二极管
最大反向电压:100 V
最大正向电流:100 mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +175°C
封装类型:SOT-23
频率范围:DC 至 3 GHz
插入损耗:典型值 0.2 dB(在 1 GHz)
隔离度:典型值 40 dB(在 1 GHz)
1PS70SB86 是一款高性能的射频 PIN 二极管,其核心特性之一是具备优异的高频性能,能够在高达 3 GHz 的频率范围内稳定工作。这使其非常适合用于射频信号切换、调制解调器、无线基站和测试测量设备中。
该器件采用了 PIN 结构,具有低插入损耗和高隔离度的特性,能够在正向偏置下提供良好的导通性能,在反向偏置下实现良好的信号隔离。在 1 GHz 的典型工作频率下,其插入损耗仅为 0.2 dB,隔离度可达 40 dB,确保了信号传输的清晰度和稳定性。
此外,1PS70SB86 具有良好的热稳定性和机械强度,能够在恶劣的工作环境中保持可靠运行。其 SOT-23 封装形式便于自动化生产和表面贴装,适合大规模应用。
在电气性能方面,该二极管的最大反向电压为 100 V,最大正向电流为 100 mA,具备一定的耐压和耐流能力,适用于中等功率的射频切换应用。同时,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于工业级和汽车电子应用。
1PS70SB86 主要用于各种射频和微波系统中,例如无线通信基站、射频测试仪器、天线切换模块、射频开关矩阵、频率合成器和射频衰减器等。由于其优异的高频特性和可靠性,该器件也可用于汽车雷达系统、卫星通信设备和工业控制系统的射频信号管理。
在通信基础设施中,1PS70SB86 可用于基站天线的切换控制,实现多频段或多路径信号的快速切换。在测试测量设备中,该器件可作为射频开关用于信号路径的路由控制。此外,其稳定的电气性能也使其适用于精密射频仪器中的信号衰减和调制电路。
由于其 SOT-23 小型封装,该二极管还可用于空间受限的便携式设备,如射频识别(RFID)读写器、无线传感器网络节点和便携式测试设备等,满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
1PS70SB87, BAR 64-03V, SMP1345, BB133