MTVA0600N07W3S 时间：2025/7/18 13:25:31 阅读：3

MTVA0600N07W3S是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET，设计用于高效率、高电流和高电压应用。该器件采用了先进的沟槽式栅极技术，以提供优异的导通电阻（Rds(on)）和开关性能。MTVA0600N07W3S封装在W3功率封装中，适用于需要高功率密度和良好热管理的应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：100A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：7mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散（Ptot）：150W

特性

MTVA0600N07W3S具有出色的导通性能，其极低的Rds(on)值确保了在大电流条件下的最小功率损耗。它采用先进的沟槽式栅极技术，提供了优越的开关性能和热稳定性。该MOSFET还具有高雪崩能量耐受能力，使其在高应力条件下具有更高的可靠性和耐用性。此外，W3封装设计优化了热管理，提供了更好的散热性能，适用于紧凑型高功率设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平控制，便于与多种控制器或驱动器配合使用。其高耐压能力和低导通损耗特性使其非常适合用于电源转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等应用。
　　MTVA0600N07W3S通过了AEC-Q101汽车电子标准认证，适合在汽车和其他高要求的工业环境中使用。其封装符合RoHS环保标准，且不含卤素，符合现代电子设备的环保要求。