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IS25LP128F-RMLE 发布时间 时间:2025/9/1 15:40:45 查看 阅读:5

IS25LP128F-RMLE 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗的串行闪存芯片,属于SPI NOR Flash存储器类别。该器件的容量为128Mbit(16MB),适用于需要非易失性存储的多种应用场景,如固件存储、数据记录、嵌入式系统启动代码存储等。IS25LP128F-RMLE 支持标准SPI、双线SPI(Dual SPI)、四线SPI(Quad SPI)等多种接口模式,提供了较高的数据传输速率和灵活性。其工作电压范围较宽,通常为2.3V至3.6V,适应不同的电源设计需求。该芯片采用小巧的8引脚SOIC或WSON封装,适合空间受限的设计。IS25LP128F-RMLE 适用于工业、消费类电子产品、通信设备以及汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

参数

容量:128Mbit (16MB)
  接口类型:SPI (支持标准、Dual、Quad模式)
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  时钟频率:最高支持80MHz
  擦除块大小:4KB、64KB、全片擦除
  编程页大小:256字节
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:8-SOIC、8-WSON
  存储结构:统一块结构,支持灵活的块锁定机制
  写保护机制:硬件写保护(WP#引脚)与软件写保护

特性

IS25LP128F-RMLE 具备多项高性能和高可靠性的特性。首先,它支持多种SPI模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,使得数据传输速率可以达到甚至超过传统的并行NOR Flash,提升了系统的整体性能。其次,该芯片具有灵活的擦除选项,包括4KB、64KB以及全片擦除功能,允许用户根据应用需求选择不同的擦除粒度,从而优化存储器的使用寿命和效率。
  在功耗方面,IS25LP128F-RMLE 提供了低功耗待机模式和深度掉电模式,适用于电池供电设备和对能效有严格要求的应用场景。此外,该器件内置的写保护机制包括硬件写保护(通过WP#引脚控制)和软件写保护功能,确保关键数据不会被意外修改或擦除,提高了系统的稳定性与安全性。
  IS25LP128F-RMLE 还支持高速连续读取模式,可以实现快速的数据访问。其内部采用高性能的浮栅技术,确保了数据的长期可靠存储,典型数据保持时间为20年,并支持100,000次以上的擦写周期,具备良好的耐用性。此外,该芯片具备优异的抗干扰能力和温度适应性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作。

应用

IS25LP128F-RMLE 广泛应用于需要高性能、小体积和低功耗存储方案的电子设备中。例如,在嵌入式系统中作为程序存储器,用于存储引导代码(Bootloader)和固件;在工业控制系统中用于保存配置参数和校准数据;在通信设备中用于存储操作系统和应用程序;在消费类电子产品如智能手表、无线耳机等设备中用于固件更新和数据缓存。此外,该芯片也常用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘显示模块等对可靠性和耐久性有较高要求的场景。

替代型号

Winbond W25Q128JV, Macronix MX25L12835F, Cypress S25FL128S

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IS25LP128F-RMLE参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC