MTVA0300N09WB1 是一款由 MagnaChip 生产的高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、服务器电源、电信设备电源等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):90V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):180A(最大值)
导通电阻(Rds(on)):3.0mΩ(最大值,Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
功率耗散(Pd):300W
栅极电荷(Qg):240nC(典型值,Vgs=10V)
MTVA0300N09WB1 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件在高电流应用中表现出色,能够在 180A 的漏极电流下稳定工作。其 90V 的漏源电压额定值使其适用于多种中高压电源转换应用。
该 MOSFET 采用 TO-263(D2PAK)表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动化装配流程。此外,其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率下的性能表现。
MTVA0300N09WB1 还具有优异的雪崩能量承受能力,增强了器件在高应力工作条件下的可靠性和耐用性。该器件符合 RoHS 环保标准,适合现代电子设备的绿色制造要求。
在动态性能方面,MTVA0300N09WB1 提供快速的开关响应和较低的开关损耗,这在高频率开关电源设计中尤为重要。其高栅极电压容限(±20V)也增强了器件在各种驱动条件下的稳定性。
MTVA0300N09WB1 广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。其典型应用包括服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制单元。
由于其高电流能力和低导通电阻,该器件特别适用于高效率电源转换设计,例如用于数据中心服务器的 VRM(电压调节模块)和 POL(负载点)电源转换器。此外,MTVA0300N09WB1 也常用于电动汽车和储能系统的功率管理电路中,以实现高效的能量传输和管理。
IXFN180N10T, IPP180N10N3, FDBL3100N10A, STP180N9F3LL