时间：2025/9/16 15:48:26
阅读：12
MTVA0200N07 是一款由 MagnaChip 生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET。这款器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和良好的热稳定性。MTVA0200N07 主要用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块等应用场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：700V
漏极电流（Id）：20A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω @ Vgs = 10V
栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
MTVA0200N07 具有优异的电气性能和热性能，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在极端条件下的可靠性。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构设计，使电流分布更均匀，提高了器件的耐用性和稳定性。同时，MTVA0200N07 还具备良好的开关特性，能够实现快速开通和关断，从而降低开关损耗。
在封装方面，TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热能力，并且适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和 PCB 板布局。此外，该封装还具有较好的机械强度和抗热冲击能力，适合各种工业和消费类应用。
MTVA0200N07 常用于各类电源管理系统中，如 AC-DC 适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统等。其高耐压和高电流能力使其在工业控制、通信设备、家用电器和汽车电子等领域得到广泛应用。
TK20A70N1,TU20A70W1
