类型: N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）: 250 V
　　漏极电流（ID）: 60 A
　　导通电阻（RDS(on)）: 最大 0.045 Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）: 2 V 至 4 V
　　工作温度范围: -55°C 至 +175°C
　　封装类型: TO-247

MTTBS250AV MOSFET 具有出色的导通性能和较低的开关损耗，这使得它非常适合用于高效率的功率转换应用。
　　该器件采用了先进的平面条形技术，确保了在高温条件下依然能够稳定运行。
　　其高耐压能力（250V）使其适用于工业电源、电机控制和太阳能逆变器等高电压应用场景。
　　由于其低 RDS(on) 特性（0.045Ω），MTTBS250AV 在工作时产生的热量较少，从而提高了系统的整体可靠性。
　　此外，该器件具备较高的短路耐受能力，为系统设计提供了更大的安全裕量。

MTTBS250AV 主要用于各种高功率电子设备，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、工业电机驱动器以及光伏逆变器等。
　　在电源管理系统中，它可以作为主开关元件，实现高效的能量转换。
　　在电机控制应用中，它能够承受较大的电流冲击，确保电机平稳运行。
　　在可再生能源系统中，例如太阳能逆变器，MTTBS250AV 能够提供稳定的高电压处理能力，提高能量转换效率。
　　该器件也适用于需要高可靠性和长寿命的汽车电子系统。

STB25NM50N, IRF250, FDP250