时间：2024/8/16 13:53:16
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VNP10N06是采用意法半导体VIPower技术制造的单片器件，旨在取代直流至50 KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过电压钳保护芯片的恶劣环境。
线性电流限制
热关断
短路保护
集成夹具
从输入引脚汲取的低电流
逻辑电平输入阈值
ESD保护
输入时施密特触发器
高抗噪性
标准-220包装
输出接口数：1
输出电流：15 A
供电电流：0.15 mA
针脚数：3
漏源极电阻：300 mΩ
极性：N-Channel
耗散功率：42000 mW
漏源击穿电压：60.0 V
栅源击穿电压：±20.0 V
连续漏极电流(Ids)：10.0 A
输出电流(Max)：6 A
输出电流(Min)：6 A
输入数：1
耗散功率(Max)：42000 mW
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
