型号：MTP6P20
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：200V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-3.0V ~ -4.0V
　　最大漏源导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω @ VGS = -10V
　　最大漏极电流（ID）：6A（TC=25°C）
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　栅源电压（VGSS）：±20V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管或快速恢复特性
　　封装形式：TO-220 / TO-220F

MTP6P20作为一款高性能P沟道功率MOSFET，具备多项关键特性以满足现代电源管理系统的需求。首先，其200V的高漏源击穿电压使其适用于多种高压开关场合，如离线式开关电源和AC-DC转换器，能够在输入电压波动较大的环境下稳定工作。其次，该器件在VGS=-10V时的典型RDS(on)仅为1.8Ω，这一低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率，并减少了对散热设计的依赖。这对于紧凑型电源模块尤为重要。
　　MTP6P20采用平面栅极技术和优化的单元布局，增强了器件的均匀性和稳定性，同时提升了热分布的一致性，从而延长了使用寿命。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备高达±20V的栅源电压承受能力，有效防止因电压尖峰或误操作导致的栅极击穿问题。此外，该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　器件还具备良好的开关特性，输入电容和输出电容较小，有助于减少驱动损耗和开关延迟，提高高频工作的响应速度。虽然MTP6P20未集成快恢复体二极管，但在多数应用中可通过外接二极管实现所需功能。其TO-220封装不仅提供了优良的机械强度，而且具备出色的热传导性能，便于通过散热片进一步提升功率处理能力。整体而言，MTP6P20在可靠性、效率和耐用性方面均表现优异，是中高压P沟道MOSFET中的理想选择之一。

MTP6P20广泛应用于各类中高压直流电源系统中，尤其适合需要高耐压和稳定关断能力的P沟道MOSFET场景。一个典型的应用是在高边开关电路中作为负载开关使用，例如在电池供电设备或电源模块中控制正极通断。由于其P沟道结构无需复杂的电平移位电路即可实现高压侧驱动，简化了设计复杂度并降低了成本。在AC-DC和DC-DC转换器中，MTP6P20可用于同步整流或主开关元件，特别是在反激式（Flyback）拓扑中作为辅助侧开关，提供高效的能量传递路径。
　　此外，该器件也常见于LED照明驱动电源中，用于实现恒流控制或过压保护功能。其200V的耐压能力足以应对市电整流后的高压直流母线，确保在电网波动时仍能安全运行。在工业控制系统中，MTP6P20可被用作继电器替代方案，执行固态开关任务，避免机械触点带来的磨损和延迟问题。它还适用于UPS不间断电源、逆变器和小型电动工具的电源管理单元，承担电源通断或故障保护的角色。
　　由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，MTP6P20也能胜任车载电子设备中的低压转高压转换任务，例如车载充电器或仪表电源模块。在消费类电子产品如电视机、机顶盒和路由器的待机电源电路中，该MOSFET可用于实现低功耗待机模式下的电源切换，提升能源利用效率。总之，凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的封装设计，MTP6P20在多个领域展现出广泛的适用性和工程价值。

SPP6P20-HF
　　FQP6P20