时间：2025/4/30 17:04:25
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SLF60R190SS 是一款基于先进的半导体技术设计的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场合。该器件采用了 TO-263 封装形式，具备良好的散热性能和较高的电流承载能力。
这款 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制领域。其优异的电气特性和可靠性使其成为众多工程师在设计高效能功率转换电路时的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：190mΩ
栅极电荷：25nC
开关频率：高达 1MHz
结温范围：-55°C 至 175°C
SLF60R190SS 的主要特性包括低导通电阻以减少功耗、快速开关速度以提高效率、以及强大的电流处理能力。
此外，该器件还具有出色的热稳定性和耐受瞬态电压的能力，这使得它在恶劣的工作环境下也能保持可靠的性能。
由于采用了先进的制造工艺，SLF60R190SS 还拥有较低的寄生电感，从而进一步提升了其动态性能和抗干扰能力。
它的封装形式也经过优化，确保了良好的机械强度和电气连接质量。
SLF60R190SS 广泛应用于直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）、逆变器、电动工具、家用电器以及汽车电子系统中。
在这些应用中，它通常被用作主开关元件或同步整流器的一部分，以实现高效的能量转换和精确的负载控制。
由于其高电流承载能力和快速开关特性，该器件也非常适合需要频繁启停或大动态范围调节的场景。
SLF60R180SS
IRLB8748PBF
FDP18N60E
