MTP52N06VL 时间：2025/9/4 1:54:42 阅读：24

MTP52N06VL 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件设计用于高效率电源转换应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点。MTP52N06VL 采用 TO-220 或 DPAK 封装形式，适用于多种电源管理场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：52A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

MTP52N06VL 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流容量，能够在高负载条件下稳定工作。其 60V 的漏源电压额定值使其适用于多种中低功率电源转换应用，如 DC-DC 转换器、电机控制器和负载开关。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下工作。其封装形式（如 TO-220 或 DPAK）有助于有效的散热，同时便于安装在标准的 PCB 板上。MTP52N06VL 还具备较高的耐用性和可靠性，适用于工业级应用环境。
　　另一个显著的特性是其快速开关能力，这使得该 MOSFET 在高频应用中表现出色。较低的输入电容和输出电容也有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。

应用

MTP52N06VL 主要用于电源管理领域，包括但不限于以下应用：
　　- DC-DC 转换器：用于提高或降低直流电压，广泛应用于电源适配器、电池管理系统和太阳能逆变器等设备中。
　　- 电机驱动器：适用于无刷直流电机（BLDC）控制器和步进电机驱动器，提供高效且稳定的功率输出。
　　- 负载开关：用于控制大电流负载的开启与关闭，例如 LED 驱动、加热元件控制等。
　　- 电池充放电管理：在电池供电系统中用于控制充放电路径，提高能源利用率。
　　- 工业自动化设备：在各种工业控制系统中作为功率开关使用，如继电器替代、电源分配等。