MTP52N06VL 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件设计用于高效率电源转换应用,具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点。MTP52N06VL 采用 TO-220 或 DPAK 封装形式,适用于多种电源管理场合。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):52A
导通电阻(Rds(on)):0.018Ω(最大值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
最大功耗(Pd):75W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
MTP52N06VL 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外,该 MOSFET 具有较高的电流容量,能够在高负载条件下稳定工作。其 60V 的漏源电压额定值使其适用于多种中低功率电源转换应用,如 DC-DC 转换器、电机控制器和负载开关。
该器件还具有良好的热稳定性,能够在较高的温度环境下工作。其封装形式(如 TO-220 或 DPAK)有助于有效的散热,同时便于安装在标准的 PCB 板上。MTP52N06VL 还具备较高的耐用性和可靠性,适用于工业级应用环境。
另一个显著的特性是其快速开关能力,这使得该 MOSFET 在高频应用中表现出色。较低的输入电容和输出电容也有助于减少开关损耗,提高整体系统的响应速度。
MTP52N06VL 主要用于电源管理领域,包括但不限于以下应用:
- DC-DC 转换器:用于提高或降低直流电压,广泛应用于电源适配器、电池管理系统和太阳能逆变器等设备中。
- 电机驱动器:适用于无刷直流电机(BLDC)控制器和步进电机驱动器,提供高效且稳定的功率输出。
- 负载开关:用于控制大电流负载的开启与关闭,例如 LED 驱动、加热元件控制等。
- 电池充放电管理:在电池供电系统中用于控制充放电路径,提高能源利用率。
- 工业自动化设备:在各种工业控制系统中作为功率开关使用,如继电器替代、电源分配等。
IRFZ44N, FDP52N06, STP55NF06, IRLZ44N