类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：85A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 6.5mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：约 80nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

FQI85N06 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 时，其最大 RDS(on) 仅为 6.5mΩ，使得该器件在大电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
　　此外，FQI85N06 具有良好的热稳定性和较高的电流承受能力，能够在高负载条件下稳定工作。其设计优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体电源系统的效率。
　　该器件的封装形式为 TO-220 和 D2PAK，这两种封装都具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。FQI85N06 的栅极电荷较低（约 80nC），这意味着它可以用较低的驱动功率实现快速开关，从而减少驱动电路的设计复杂度和成本。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在极端工作条件下的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。

FQI85N06 主要应用于各类电源管理系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动和电池管理系统。在服务器电源、电信电源、工业电源、UPS（不间断电源）和电动汽车充电系统中，FQI85N06 都是常用的功率开关器件。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，FQI85N06 在需要高效率和高功率密度的场合表现出色。例如，在同步整流电路中，它可以显著降低整流损耗，提高整体系统效率。在电机控制应用中，该器件可用于 PWM 控制，实现精确的速度和转矩调节。
　　此外，FQI85N06 还适用于负载开关和热插拔电源控制，其快速开关特性和低导通损耗使其在这些应用中具有优势。在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。

IRF1405, STP85NF55, FDP85N06