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MTP30N06E 发布时间 时间:2025/9/3 15:53:45 查看 阅读:6

MTP30N06E是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由ON Semiconductor(安森美半导体)生产。该器件设计用于高电流、低电压应用,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和快速开关特性。MTP30N06E常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及各种高功率电子设备中。该MOSFET采用TO-220封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业和汽车电子应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):最大40mΩ(在Vgs=10V时)
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220

特性

MTP30N06E具备多项优良特性,首先是其低导通电阻(Rds(on)),最大仅为40mΩ,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET支持高达30A的连续漏极电流,在60V工作电压下能够提供出色的功率处理能力,适用于高负载应用。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,能够在高功率条件下保持稳定运行。
  此外,MTP30N06E的栅极驱动电压范围较宽,最高可支持20V,增强了其在不同驱动电路中的适应性。该器件的开关速度快,能够有效减少开关损耗,提高整体系统性能。其工作温度范围宽达-55°C至175°C,适用于各种严苛环境条件下的应用,如工业自动化、汽车电子和电源管理系统。

应用

MTP30N06E广泛应用于多种高功率电子系统中。首先,在电源管理领域,它常用于同步整流、DC-DC降压和升压转换器中,作为主开关器件以提高转换效率。其次,在电机控制和驱动电路中,MTP30N06E可用于H桥电路,实现对直流电机或步进电机的高效控制。

替代型号

IRF30N06D, STP30NF06, FDP30N06, NTD30N06L

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