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MTP2N35 发布时间 时间:2025/4/30 14:49:04 查看 阅读:7

MTP2N35是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种高频开关应用。MTP2N35采用了先进的制造工艺,优化了开关特性和热性能。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:11A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:37nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-220

特性

MTP2N35的主要特性包括:
  1. 低导通电阻设计,能够显著降低功率损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达11A的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,适合高频应用环境。
  4. 良好的热稳定性,有助于提高系统可靠性。
  5. 栅极驱动要求较低,易于与逻辑电路兼容。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  MTP2N35的设计使得它在各种功率转换和控制电路中表现出色,同时其耐用性和效率也得到了行业的广泛认可。

应用

MTP2N35主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动器中的功率级元件,用于控制直流无刷电机或步进电机。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. LED驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
  由于其优良的电气性能和机械结构,MTP2N35在这些应用中展现了较高的性价比和可靠性。

替代型号

IRFZ44N, STP36NF06, FDP5800

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