MTP2N35是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种高频开关应用。MTP2N35采用了先进的制造工艺,优化了开关特性和热性能。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:11A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:37nC
开关速度:快速开关
封装形式:TO-220
MTP2N35的主要特性包括:
1. 低导通电阻设计,能够显著降低功率损耗。
2. 高电流承载能力,支持高达11A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,适合高频应用环境。
4. 良好的热稳定性,有助于提高系统可靠性。
5. 栅极驱动要求较低,易于与逻辑电路兼容。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
MTP2N35的设计使得它在各种功率转换和控制电路中表现出色,同时其耐用性和效率也得到了行业的广泛认可。
MTP2N35主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级元件,用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
由于其优良的电气性能和机械结构,MTP2N35在这些应用中展现了较高的性价比和可靠性。
IRFZ44N, STP36NF06, FDP5800