LM3Z4V7T1H是一款由德州仪器(Texas Instruments)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压生成。该器件封装在SOD-123小尺寸封装中,适用于各种电子电路中对空间要求较高的场合。LM3Z4V7T1H的标称齐纳电压为4.7V,具有较小的电压容差和良好的温度稳定性,因此非常适合用作基准电压源。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:4.7V
最大齐纳电流:200mA
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
电压容差:±5%
动态电阻:典型值为80Ω
温度系数:±50ppm/°C
LM3Z4V7T1H齐纳二极管在电子电路中以其稳定的电压参考性能而著称。其标称齐纳电压为4.7V,电压容差为±5%,确保了在不同工作条件下的电压精度。该器件的最大齐纳电流为200mA,最大耗散功率为300mW,能够满足大多数低功耗电路的需求。此外,LM3Z4V7T1H具有较宽的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于各种环境条件下的应用。其SOD-123封装尺寸小巧,便于在PCB上布局,同时有助于减少电路的整体尺寸。
该齐纳二极管的动态电阻较低,典型值为80Ω,这有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。此外,其温度系数为±50ppm/°C,表明其电压随温度变化的漂移较小,适合需要高稳定性的应用场合。LM3Z4V7T1H还具有快速响应时间,能够迅速适应输入电压的变化,从而保护电路中的其他元件不受损坏。
LM3Z4V7T1H广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要稳定参考电压的电路中。例如,在电源管理电路中,它可以作为基准电压源来确保输出电压的稳定性。在模拟电路中,LM3Z4V7T1H可用于提供偏置电压,以确保运算放大器和其他模拟元件的正常工作。此外,该器件还可用于电压监测电路,通过检测输入电压是否超过设定的阈值来触发保护机制。
在数字电路中,LM3Z4V7T1H可以用作电压钳位器件,以防止输入信号超过安全工作范围。这种应用常见于通信接口电路中,如RS-232或USB接口,以保护主控芯片免受过电压损害。在便携式设备中,由于其小尺寸封装和低功耗特性,LM3Z4V7T1H也常用于电池电压监测和调节电路。
LM3Z4V7T1G LM3Z4V7B