时间：2025/6/18 12:27:03
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MTP25N10E是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效功率开关的场合，其低导通电阻和高切换速度使其非常适合用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，能够提供优异的电气性能和可靠性。
该器件通常以TO-220封装形式提供，具有较大的散热面积，便于在较高功率的应用中使用。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：0.08Ω（典型值，在Vgs=10V时）
功耗：235W
结温范围：-55℃至+175℃
总栅极电荷：36nC
输入电容：1350pF
1. 低导通电阻设计有助于减少功率损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，适合高频功率转换应用。
3. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠工作。
4. 具备出色的雪崩能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 采用成熟的TO-220封装形式，易于集成和安装。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载控制。
4. 各类DC-DC转换器及电池管理系统。
5. 工业设备中的继电器替代方案。
6. 多种保护电路，例如过流保护和短路保护。
IRFZ44N
STP25NF10
FDP18N10
