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MTP2301N3 发布时间 时间:2025/6/5 12:23:48 查看 阅读:9

MTP2301N3是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高电流处理能力的特点,同时其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用环境。
  该型号属于MOSFET产品线中的中低压系列,适用于多种消费类电子产品及工业控制领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):15mΩ
  栅极电荷:4nC
  总电容(输入电容):160pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-23

特性

MTP2301N3具有出色的电气性能,包括低导通电阻、快速开关速度和较低的栅极电荷,这些特点使其在效率和热管理方面表现优异。
  此外,该器件还具备较高的雪崩击穿能力和良好的热稳定性,能够承受短时间内的过载或异常工作状态。
  MTP2301N3的小型SOT-23封装不仅节省了PCB布局空间,还简化了散热设计,使得它特别适合于便携式设备和其他对尺寸敏感的应用场景。
  总体而言,这款MOSFET以其高效能和可靠性赢得了广泛的市场认可。

应用

MTP2301N3广泛用于以下应用场景:
  1. 开关电源适配器中的同步整流电路
  2. 消费类电子产品的负载开关
  3. DC-DC转换器中的功率开关
  4. 小型电机驱动控制
  5. LED照明驱动电路
  6. 各种需要高频切换和低损耗特性的系统

替代型号

MTP2302N3, FDN340P, BSS138

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