FN21N4R7B500PAG是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和通信设备等高性能领域。该器件采用了先进的GaN材料,具备高电子迁移率和低导通电阻特性,能够显著提高系统的效率和功率密度。
FN21N4R7B500PAG的设计特别适合于高频工作环境,其快速开关特性和低寄生电感使其成为现代电力电子应用的理想选择。
额定电压:650V
额定电流:3A
导通电阻:47mΩ
栅极电荷:18nC
最大工作结温:175°C
封装形式:PAG
FN21N4R7B500PAG的主要特性包括以下几点:
1. 高效开关性能:得益于GaN材料的独特属性,该器件具有超快的开关速度,从而减少开关损耗。
2. 低导通电阻:仅为47mΩ的导通电阻有效降低了传导损耗,提升了整体效率。
3. 小型化设计:采用PAG封装形式,节省了电路板空间,便于紧凑型设计。
4. 高耐压能力:650V的额定电压使其能够适应多种高压应用场景。
5. 高温稳定性:最高工作结温可达175°C,确保在恶劣环境下的可靠性。
6. 低寄生电感:优化的内部结构进一步减少了开关过程中的振荡现象。
FN21N4R7B500PAG适用于以下典型应用场景:
1. 高频DC-DC转换器:利用其高效的开关特性提升转换效率。
2. 开关电源(SMPS):在各类AC-DC适配器中提供更小体积和更高效率。
3. 充电器与快充模块:支持USB PD协议的充电器设计,满足快速充电需求。
4. 工业电源系统:如电信基站电源、不间断电源(UPS)等,提升系统稳定性和效率。
5. LED驱动电源:实现高效率的LED照明解决方案。
6. 电机驱动器:用于小型直流无刷电机驱动控制,提高动态响应能力。
FNE1N6R5B500PAK, GN22N4R7B600TAG