时间：2025/8/28 15:20:03
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MTP1N60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于功率转换和开关应用。该器件采用高压制程技术，具备较高的耐压能力，适用于AC-DC电源转换器、DC-DC转换器、马达控制、LED照明等高效率功率管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：1.5A
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220、D2PAK等
MTP1N60 具备良好的导通特性和低导通电阻（Rds(on)），在高电压应用中可有效降低功率损耗。
该器件采用了先进的平面工艺和高密度单元设计，使得在高压下仍能保持稳定的性能表现。
其高雪崩能量能力确保在突发电压或电流冲击下依然具备良好的可靠性与稳定性。
此外，MTP1N60具备快速开关特性，适合用于高频开关电路中，提升整体系统效率。
其封装形式（如TO-220）便于散热和安装，适用于多种工业和消费类电子产品。
MTP1N60 常见于各类开关电源（SMPS）设计中，如适配器、充电器、PC电源等。
它也广泛用于LED照明驱动电路、电动工具、风扇、电机控制等应用。
此外，该MOSFET适用于各种DC-DC转换器、逆变器以及工业自动化控制系统中的功率开关单元。
由于其高耐压特性，MTP1N60也可用于智能电表、家用电器等需要稳定功率控制的场合。
FQP1N60C、2SK2545、IRF730、STP1N60Z、MTP3N60
