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MTN6515J3 发布时间 时间:2025/8/7 11:08:34 查看 阅读:21

MTN6515J3 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的功率 MOSFET 晶体管。该器件采用先进的功率 MOSFET 技术,具有高效能和高可靠性,适用于多种高功率应用。MTN6515J3 属于 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),在设计上优化了导通电阻和开关损耗,适用于电源转换、电机控制和功率管理等领域。该器件封装形式通常为 TO-247 或类似的高功率封装,以确保良好的热管理和散热性能。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):15A(在 25°C 时)
  导通电阻(Rds(on)):约 0.35Ω(典型值)
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  最大功率耗散(Pd):100W(在 25°C 时)

特性

MTN6515J3 是一款性能优越的功率 MOSFET,具备低导通电阻和高电流处理能力。该器件的低 Rds(on) 特性有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。其高耐压能力(650V)使其适用于高压应用,如开关电源、DC-DC 转换器和逆变器设计。此外,MTN6515J3 在高温环境下仍能保持稳定工作,其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,适应多种恶劣工作环境。
  该 MOSFET 的栅极驱动特性设计优化,使其具有较低的栅极电荷(Qg),从而减少开关损耗并提高高频工作的稳定性。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能,确保在高功率负载下的可靠性。MTN6515J3 还具备良好的短路耐受能力,增强了其在高要求应用中的适用性。
  此器件的封装设计也考虑了易用性和安装便利性,适合多种 PCB 设计和散热方案。其高耐用性和稳定的电气特性使其成为工业控制、电源管理和电机驱动等领域的理想选择。

应用

MTN6515J3 广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、UPS 系统以及 DC-DC 转换器等。由于其低导通电阻和高效率,该 MOSFET 也适用于需要高效能功率转换的太阳能逆变器和电池管理系统。此外,该器件可用于工业自动化控制系统中的功率开关,提供稳定的电流控制和高效的能量传输。

替代型号

MTN6518J3, MTN6512J3, IRFP460LC

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