MTN2328M3 时间：2025/11/7 20:05:05 阅读：8

MTN2328M3是一款由ONSEMI（安森美）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的Trench肖特基技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，适合在紧凑型电子设备中实现高效的能量传输与控制。MTN2328M3封装形式为DPAK（TO-252），便于安装于印刷电路板上并支持良好的散热设计。作为一款中压MOSFET，其额定电压和电流参数使其适用于多种工业控制、消费类电子产品及汽车电子系统中的功率开关应用。
　　该器件的主要优势在于其优化的栅极电荷特性与较低的导通损耗，有助于提高整体系统的能效，并减少对外部散热措施的依赖。此外，MTN2328M3具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。器件符合RoHS环保标准，且具备较高的抗干扰能力和长期工作稳定性，适用于严苛的工作环境。

参数

型号：MTN2328M3
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)@25°C：170A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：680A
　　最大导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：3.3mΩ
　　最大导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：4.3mΩ
　　栅极阈值电压(VGS(th))@ID=250μA：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)@VDS=15V：10500pF
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　最大功耗(PD)@TC=25°C：200W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +175°C
　　封装：DPAK (TO-252)

特性

MTN2328M3采用先进的Trench肖特基MOSFET工艺，这种结构通过深沟槽刻蚀技术实现了更高的单元密度，从而显著降低了导通电阻RDS(on)，同时提升了器件的电流处理能力。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为3.3mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得它在大电流应用场景下能够有效降低传导损耗，提升系统效率。由于低RDS(on)，该器件在持续高负载运行时发热更少，有助于延长周边元件寿命并简化热管理设计。
　　该器件具备优异的开关性能，得益于较低的输入电容（Ciss=10500pF）和输出电容（Coss），以及快速的栅极电荷放电能力，MTN2328M3能够在高频PWM控制中实现迅速开启与关断，适用于高达数百kHz的开关电源拓扑结构，如同步整流降压变换器（Buck Converter）。其反向恢复时间trr为25ns，表明体二极管响应速度快，可减少续流过程中的能量损耗和电压尖峰，进一步提高转换效率。
　　热性能方面，MTN2328M3的最大功耗可达200W（在TC=25°C条件下），结合DPAK封装良好的热传导路径，可通过PCB铜箔或外加散热片有效导出热量。其工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保在极端温度环境下仍能稳定运行，适用于工业自动化、车载电源等对可靠性要求较高的场合。此外，该器件具备较强的雪崩能量承受能力，能够在突发过压或感性负载切换时提供额外保护，避免因电压击穿导致失效。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠且耐用的功率开关解决方案，特别适合用于电池管理系统、电动工具、LED驱动电源及服务器电源模块等领域。

应用

MTN2328M3主要应用于需要高效大电流开关能力的电力电子系统中。常见用途包括直流-直流（DC-DC）降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上下桥臂开关使用；也广泛用于电池供电设备中的电源开关控制，例如电动工具、无人机和便携式储能装置。此外，该器件适用于电机驱动电路，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，可有效减少功率损耗并提升驱动效率。在汽车电子领域，MTN2328M3可用于车载充电器（OBC）、辅助电源系统和LED车灯驱动电源。工业控制系统中的固态继电器、电源分配单元和热插拔控制器也是其典型应用场景。由于其高可靠性和耐高温特性，该器件同样适用于通信电源、服务器电源模块及工业电源设备中。