时间：2025/7/31 14:50:38
阅读：22
MTN10N65BE3是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于各种电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动和不间断电源（UPS）等。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：10A（最大值）
栅极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.65Ω（最大值0.85Ω）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220AB
MTN10N65BE3采用了先进的平面MOSFET工艺，具有低导通电阻，这使得器件在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件具备高达650V的漏源击穿电压，能够承受高电压应力，适用于中高功率的电源系统。其最大漏极电流为10A，适合处理中等电流负载。该MOSFET的栅极电压范围为±20V，确保了在不同驱动条件下的稳定工作。
该器件的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持较低的结温，提高器件的可靠性和寿命。MTN10N65BE3的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，使其能够在各种恶劣环境条件下稳定运行。此外，该MOSFET的内部结构设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制电路。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定的性能。由于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），MTN10N65BE3在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高系统的效率。
MTN10N65BE3广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压和良好的开关特性，该MOSFET也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统和储能系统等新能源应用领域。
STP10NM65N, FQP10N65C, IRFBC40
