时间：2025/9/3 2:59:11
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MTM5P20是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高电压和中等电流的功率开关应用。这款器件具有高耐压能力，适合在电源转换、电机控制和负载开关等场景中使用。MTM5P20采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和可靠性，适用于表面贴装技术（SMT）生产工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：200V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
漏极连续电流（Id）：5A（@25℃）
功耗（Pd）：60W
导通电阻（Rds(on)）：约2.0Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
MTM5P20具有较高的漏源击穿电压（200V），适合用于高压电路中的开关控制。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，适用于各种工业控制和电源管理系统。
MTM5P20的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。此外，其快速开关特性使其适合用于DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路等高频开关应用。
在可靠性方面，MTM5P20具备较强的过载和瞬态电压承受能力，能在复杂电磁环境中保持稳定运行。其封装设计有助于良好的散热，提高整体系统的稳定性和寿命。
MTM5P20广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、逆变器、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件也常用于LED照明驱动、家用电器和电动车控制系统中。
IRF540N, FQP5N20C, STP5NK20Z, RFP5N20, FDP5N20
