型号：DRGH855KB822
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：850 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：8.2 A
　　脉冲漏极电流（ IDM）：32.8 A
　　导通电阻 RDS(on) @10V VGS：0.82 Ω（典型值）
　　导通电阻 RDS(on) @4.5V VGS：1.05 Ω
　　阈值电压（Vth）：4.0 V（典型）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @25°C
　　输出电容（Coss）：220 pF
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　二极管正向电压（Vf）：1.6 V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AD
　　安装方式：通孔安装
　　功耗（PD）：250 W（最大）

DRGH855KB822 具备出色的电气与热性能，适用于高压大功率应用场景。其核心优势在于高达 850V 的漏源击穿电压，这使得它非常适合用于离线式开关电源设计，尤其是那些直接连接到交流电网的应用，如 PFC（功率因数校正）电路和 LLC 谐振转换器。由于采用了优化的沟道结构和超结（Super Junction）技术，该器件实现了极低的单位面积导通电阻，在保证高耐压的同时显著降低了导通损耗，从而提升了整体系统效率。此外，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）使其在高频开关操作下仍能保持较低的驱动损耗，进一步增强了高频工作的可行性。
　　该器件还表现出优异的开关速度，得益于其快速的反向恢复时间和低输出电容，能够有效减少开关过程中的能量损耗，降低温升并提高系统的功率密度。同时，TO-247AD 封装提供了良好的散热路径，结合内部键合工艺优化，确保了即使在高负载条件下也能维持稳定的工作温度。器件内置的体二极管具有较低的正向压降和较快的恢复特性，适合用作续流或同步整流功能。
　　从可靠性角度来看，DRGH855KB822 经过了严格的生产测试和质量控制流程，具备高抗雪崩能力，能够在突发过压事件中提供一定的自我保护机制。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）也表明其可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业级甚至部分军用级别的应用需求。此外，该器件符合国际环保标准，不含铅和有害物质，支持绿色电子产品设计。

DRGH855KB822 广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。最常见的用途之一是作为主开关管出现在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和 LLC 半桥谐振转换器中，特别是在 300W 以上的 AC-DC 电源适配器、服务器电源单元和电信整流模块中发挥关键作用。其高耐压特性使其可以直接承受来自整流后市电的高压直流母线电压，无需额外的电压钳位电路，简化了拓扑设计。
　　在功率因数校正（PFC）阶段，该器件常被用于升压型 PFC 电路中作为主动开关，帮助实现接近 1 的功率因数，满足能源效率法规要求（如 Energy Star 和 80 PLUS 认证）。由于其低导通电阻和快速开关特性，可以在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）下高效运行，减少能量浪费。
　　此外，该器件也适用于太阳能逆变器中的 DC-DC 升压环节、电动汽车车载充电机（OBC）、UPS 不间断电源系统以及工业电机驱动器中的辅助电源模块。在这些应用中，它不仅承担能量转换任务，还需应对复杂的电磁干扰和热管理挑战。凭借其优良的热传导性能和稳定的电气参数漂移表现，DRGH855KB822 成为工程师在高压功率设计中的优选方案之一。

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