MTM40N15是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Micro Commercial Components(MCC)公司制造。这种MOSFET属于N沟道类型,通常用于高功率和高电压应用,例如电源、电机控制、开关电源(SMPS)和电池管理系统。MTM40N15的设计目标是在高电压下提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗并提高效率。该器件通常采用TO-220封装,便于散热并适合工业应用。
类型:N沟道
最大漏极电流(Id):40A
漏源电压(Vds):150V
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):约0.044Ω(典型值,具体取决于Vgs)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
MTM40N15是一款高性能功率MOSFET,具有多项显著的电气和热性能特性。首先,它的低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下的低功率损耗,从而提高了系统的整体效率。这一特性对于开关电源和电机驱动应用尤为重要。
其次,MTM40N15支持高达150V的漏源电压(Vds),使其适用于中高电压应用场景,如工业电源、UPS系统和电池管理系统。同时,其最大漏极电流可达40A,满足高功率需求。
此外,该MOSFET具有宽广的栅源电压范围(±20V),增强了其在不同控制电路中的兼容性。其TO-220封装设计不仅便于安装,还具备良好的散热能力,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
MTM40N15的工作温度范围为-55°C至+175°C,展现出良好的热稳定性和可靠性,适合在严苛的工业环境中使用。
MTM40N15广泛应用于各种高功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、直流电机驱动器、电池充电器、逆变器、不间断电源(UPS)系统、工业自动化设备以及电动工具等。由于其高耐压和低导通电阻特性,该器件特别适合需要高效能和高可靠性的电源管理方案。
IRF1405, FDP40N15, FQP40N15