型号：UPA2008
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：6.5A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：26A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V；27mΩ @ Vgs=4.5V；30mΩ @ Vgs=2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　最大功耗（Pd）：2W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

UPA2008具备多项关键电气与物理特性，使其在同类小信号功率MOSFET中表现突出。首先，其低导通电阻是核心优势之一，在Vgs=10V时Rds(on)仅为22mΩ，而在常见的4.5V驱动条件下仍可保持27mΩ的低阻值，这意味着在大电流通过时产生的I2R损耗显著降低，有助于提升电源转换效率并减少发热。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并简化热管理设计。此外，该器件支持低至2.5V的栅极驱动电压，在此电压下Rds(on)仍可控制在30mΩ以内，表明其具备优异的逻辑电平兼容性，可以直接由微控制器GPIO口驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，降低了系统复杂度和成本。
　　其次，UPA2008采用了高增益沟道设计，确保了快速的开关响应能力。其输入电容Ciss为500pF，输出电容Coss为190pF，反向传输电容Crss仅为50pF，这些较低的寄生电容值意味着在开关过程中所需的充放电能量较少，从而实现了更快的上升和下降时间，减少了开关过渡期的能量损耗。这一特性对于高频PWM控制应用（如DC-DC降压变换器或LED调光电路）至关重要，能够有效抑制开关噪声并提高动态响应精度。
　　再者，该器件的热性能经过优化，尽管采用紧凑的SOT-23封装，但在适当的PCB布局下仍可实现良好的散热效果。其最大功耗为2W（在壳温25°C条件下），结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在严苛环境温度下稳定工作，适用于工业级应用场景。同时，UPA2008内置一定的体二极管，可用于续流或反向电流保护，其正向导通压降较低且恢复时间适中，适合非高频反激场合使用。
　　最后，UPA2008符合RoHS环保标准，并具备高抗湿性、耐焊接热冲击等可靠性指标，适合自动化贴片生产流程。Rohm对其产品实施严格的质量控制，保证批次一致性，提升了批量生产的良率和长期使用的稳定性。

UPA2008的应用领域涵盖多个电子系统方向。首先，在电源管理系统中，它常被用作负载开关或高端/低端侧开关元件，用于控制电源通断、实现软启动功能或进行多路电源切换，常见于移动设备的背光供电、传感器模块供电控制等场景。其次，在DC-DC转换器中，尤其是同步整流型降压（Buck）电路中，UPA2008可作为下管同步整流MOSFET使用，因其低Rds(on)和良好开关特性，有助于提高转换效率，减少发热，特别适合用于12V转5V或5V转3.3V等常见电压转换任务。
　　此外，该器件也广泛应用于电机驱动电路中，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中作为开关元件，凭借其快速响应能力和足够的电流承载能力，可以实现精确的转速和方向控制，适用于玩具、打印机、家用电器中的风扇控制等低功率驱动场合。在LED照明系统中，UPA2008可用于恒流驱动或PWM调光控制，通过高频开关调节亮度，同时其低导通压降减少了功率浪费。
　　在电池供电设备中，UPA2008还可用作反向电流阻断器，防止电池反接损坏主电路，或在多电源系统中实现自动电源选择功能。由于其SOT-23小型封装，非常适合空间受限的便携式电子产品如蓝牙耳机、智能手表、无线传感器节点等。工业控制领域中，它也可用于PLC输入输出模块中的信号切换或继电器替代方案，提升系统响应速度和寿命。总之，UPA2008凭借其高性能、小体积和易用性，成为众多中低功率开关应用的理想选择。

FDS6680A
　　SI2302DDS
　　AO3400
　　DMG2302U