MTI18-250Q 时间：2025/8/30 12:11:50 阅读：16

MTI18-250Q 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology 旗下）生产的功率 MOSFET 模块，专为高功率密度和高效率的工业应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，确保在高压和高电流条件下具有优异的导通和开关性能。MTI18-250Q 属于绝缘双功率模块（IPM）类别，集成了两个独立的 MOSFET 晶片，适用于电源转换、电机驱动、UPS（不间断电源）和工业自动化设备等领域。

参数

型号：MTI18-250Q
　　类型：功率 MOSFET 模块
　　最大漏极电压（VDSS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：250A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值）
　　封装形式：双功率封装（DPak）
　　热阻（Rth）：约 0.15°C/W（结至外壳）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装材料：绝缘陶瓷基板，带金属外壳

特性

MTI18-250Q 功率 MOSFET 模块具备多项先进的电气和热管理特性，确保其在高性能应用中的可靠性和效率。
　　首先，该模块的导通电阻（RDS(on)）仅为 18mΩ，这意味着在高电流条件下，导通损耗非常低，有助于提高整体系统效率并减少热量产生。这种低导通电阻的特性使其非常适合用于高功率 DC-DC 转换器、电机驱动器和逆变器系统。
　　其次，MTI18-250Q 支持高达 1200V 的漏极电压和 250A 的连续漏极电流，能够应对高压、高电流的工业环境。模块内部采用优化的芯片并联技术，确保电流均匀分布，从而提高器件的稳定性和寿命。
　　此外，该器件采用了先进的封装技术，外壳与内部芯片之间使用绝缘陶瓷基板，提供良好的电气隔离和热传导性能。这不仅提高了模块的机械强度，还增强了其在高振动或高湿度环境中的可靠性。
　　最后，MTI18-250Q 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的工业和户外环境。其热阻（Rth）约为 0.15°C/W，意味着热量可以高效地从芯片传递到散热器，从而维持较低的工作温度并延长模块的使用寿命。
　　综上所述，MTI18-250Q 凭借其低导通电阻、高电流容量、优良的热管理和坚固的封装结构，成为工业电源系统、电机控制、UPS 和逆变器等应用的理想选择。

应用

MTI18-250Q 主要用于需要高功率处理能力和高可靠性的工业电子系统。典型应用包括大功率 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、伺服驱动器、变频器、电机控制器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。其优异的导通和开关性能使其特别适合用于需要高效能和高稳定性的场合，例如数据中心的电源供应系统和电动汽车充电设备。