类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：100V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：130A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：最大值为8.5mΩ（典型值7.5mΩ）
　　封装形式：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　功率耗散(Pd)：200W

MTE013N10BRF3的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少系统中的能量损耗并提高整体效率。此外，它还具备较高的电流处理能力，使其适用于需要大电流负载切换的应用场景。由于采用了先进的平面技术，MTE013N10BRF3能够在恶劣的工作条件下保持稳定的性能，并且具有良好的散热设计以适应不同的冷却方案。
　　MTE013N10BRF3采用的是坚固耐用的设计理念，能够承受一定程度上的过载和瞬态电压冲击而不损坏。这种稳健性对于确保设备长期可靠运行至关重要。同时，它的栅极驱动要求相对较低，可以与多种控制器配合使用而无需额外的驱动电路。
　　这款MOSFET还提供了快速开关速度，这对于高频操作非常重要，因为它减少了开关期间的能量损失。快速开关也意味着更少的电磁干扰(EMI)，从而简化了滤波需求并降低了成本。另外，MTE013N10BRF3内部集成了一个续流二极管，允许反向电流流动，在某些拓扑结构中可能不需要外部分立元件。

MTE013N10BRF3广泛应用于各类工业控制系统、汽车电子系统、可再生能源解决方案如太阳能逆变器以及各种类型的电源供应装置中。具体来说，它可以用于构建高效的同步整流器、电池充电/放电管理系统、电动车辆驱动器以及其他需要高效能功率开关的地方。
　　在电源转换领域，MTE013N10BRF3常被用来作为主开关或次级侧同步整流器来提升效率。它也非常适合用作负载开关，在服务器、计算机和其他高性能计算平台的电源管理子系统中有广泛应用。此外，在电机控制方面，该器件支持实现精确的速度调节及方向控制功能，适用于机器人技术、自动化生产线等复杂机械控制系统。
　　考虑到其优异的热管理和电气特性，MTE013N10BRF3同样适合部署于那些对空间限制严格但又要求高性能表现的产品设计之中，比如便携式医疗仪器、测试测量工具以及其他精密电子设备。

STP120N10F7AG | IRFP4668TRPBF