PFF3N80 时间：2025/8/7 6:35:40 阅读：9

PFF3N80是一种N沟道功率MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。它具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率电力电子应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

PFF3N80具备多项优异特性，适用于高性能电源系统。首先，其高耐压能力（800V VDS）使其适用于高电压应用，例如开关电源和AC-DC转换器。其次，低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的快速开关特性减少了开关损耗，适合高频操作环境。PFF3N80还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保长期可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装，还具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。最后，PFF3N80的高栅极绝缘能力（±30V VGS）增强了抗干扰能力，提升了器件的稳定性和安全性。

应用

PFF3N80广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动器和电机控制电路。在工业自动化系统中，该器件可用于高效率电源模块的设计。在消费电子产品中，如笔记本电脑和智能手机充电器，PFF3N80可以作为主开关器件使用。此外，它还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业和家电控制电路。