时间：2025/12/25 6:22:37
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MTDN4228Q8 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率、高频率的应用场合，具备良好的热稳定性和导通性能。MTDN4228Q8 通常用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动器和工业自动化系统等需要高效率和高可靠性的场合。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
漏源导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
MTDN4228Q8 具备低导通电阻和高电流承载能力，这使其在功率转换应用中表现出色。其低 Rds(on) 减少了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了在高频率下的稳定性能。此外，MTDN4228Q8 具有良好的热管理特性，能够在高负载条件下保持较低的温升，从而提高系统的可靠性和寿命。
该 MOSFET 还具有较高的抗雪崩击穿能力，增强了在高电压瞬态条件下的耐用性。其封装形式（TO-263）提供了良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在高密度 PCB 设计中使用。此外，MTDN4228Q8 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的栅极驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。
MTDN4228Q8 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制器、工业电源和汽车电子系统。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源设计中的理想选择，尤其是在需要高电流和低导通损耗的应用中。此外，该器件也广泛用于电信设备和服务器电源系统中，以提高能源利用效率。
SiR182DP, Nexperia PSMN100-30PL, ON Semiconductor FDP100N30
