时间：2025/7/24 7:30:05
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MTD803F是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池管理系统等应用。MTD803F采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性，适用于中高功率应用。该器件在低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力方面表现出色，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：11A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：70mΩ（最大值，典型值为50mΩ）
功耗（Pd）：1.25W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
MTD803F的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性。其低Rds(on)特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在11A的连续漏极电流能力下仍能保持稳定工作，适用于需要较高负载能力的电源管理应用。MTD803F的封装形式为TO-252，具备良好的散热性能，能够在高功率密度设计中有效散热。此外，该器件具有较高的耐压能力，确保在开关过程中不会因电压尖峰而损坏。其栅极驱动电压范围为±20V，适用于常见的驱动电路设计。MTD803F在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。
MTD803F主要应用于开关电源（SMPS）、同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）以及功率管理模块。该器件也可用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中的功率控制部分。
IRF7404、FDV304P、Si4410DY、NTD14N03R2、AO3400A
