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MTD70N03T4G 发布时间 时间:2025/7/11 20:09:48 查看 阅读:12

MTD70N03T4G是一款由Microchip Technology生产的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力的特点,非常适合用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  这款MOSFET的封装形式为TO-252(DPAK),能够提供出色的散热性能,并且其额定电压为30V,适合在低压系统中使用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:70A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:115W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

MTD70N03T4G具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够减少>2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  3. 快速开关速度,降低了开关损耗,适用于高频应用。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  5. 可靠的电气性能,确保在各种工况下稳定运行。
  6. 支持大电流操作,满足工业和汽车应用需求。
  这些特点使得MTD70N03T4G成为众多电力电子设计中的理想选择。

应用

MTD70N03T4G主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC/DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 负载切换及保护电路
  5. 汽车电子系统
  6. 工业自动化设备
  7. LED照明驱动
  由于其卓越的性能,该器件能够在上述应用中提供高效、可靠的解决方案。

替代型号

MTD75N03T4G
  IRFZ44N
  FDP55N06L

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