MTD70N03T4G是一款由Microchip Technology生产的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力的特点,非常适合用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率管理的应用场景。
这款MOSFET的封装形式为TO-252(DPAK),能够提供出色的散热性能,并且其额定电压为30V,适合在低压系统中使用。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:70A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:115W
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
MTD70N03T4G具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够减少>2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关速度,降低了开关损耗,适用于高频应用。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
5. 可靠的电气性能,确保在各种工况下稳定运行。
6. 支持大电流操作,满足工业和汽车应用需求。
这些特点使得MTD70N03T4G成为众多电力电子设计中的理想选择。
MTD70N03T4G主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC/DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载切换及保护电路
5. 汽车电子系统
6. 工业自动化设备
7. LED照明驱动
由于其卓越的性能,该器件能够在上述应用中提供高效、可靠的解决方案。
MTD75N03T4G
IRFZ44N
FDP55N06L