类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　噪声系数：5dB（典型值）
　　封装类型：SOT-23

MBM200AS6 具有优异的高频性能，能够在高达 100MHz 的频率下稳定工作，非常适合用于射频（RF）放大器和高频开关电路。该晶体管的低噪声特性使其在低噪声放大器中表现出色，能够有效减少信号干扰，提高信号质量。此外，MBM200AS6 提供了较高的电流增益（hFE），可以在不同的工作条件下保持稳定的放大性能。其 SOT-23 小型封装设计适合高密度 PCB 布局，并具有良好的热稳定性，确保在各种环境下可靠运行。
　　MBM200AS6 的设计使其在低电压和低电流应用中表现出色，能够在较宽的温度范围内保持性能稳定。这使其成为便携式电子设备、无线通信模块和音频放大器的理想选择。该晶体管还具有良好的线性度，适用于需要高保真信号放大的应用，如音频放大器和传感器信号调理电路。
　　该晶体管的封装形式 SOT-23 是一种常见的表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化生产和高频应用。此外，MBM200AS6 的设计符合 RoHS 标准，符合现代电子产品的环保要求。

MBM200AS6 常用于射频（RF）放大器、低噪声放大器、高频开关电路、音频放大器、无线通信模块以及传感器信号调理电路。它也适用于便携式电子设备、嵌入式系统和消费类电子产品中的信号放大和开关控制。此外，该晶体管在模拟电路中常用于构建振荡器、缓冲器和驱动器电路。

BC547, 2N3904, PN2222A