时间：2025/6/6 10:23:15
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MTD6P10ET4 是一款基于硅基 MOS 技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场合，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，具有良好的散热性能和可靠性。MTD6P10ET4 的设计旨在提供出色的 Rds(on) 和栅极电荷特性，从而降低功耗并提高系统效率。
该器件的最大漏源电压为 60V，并具备较低的导通电阻，非常适合高频开关应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极阈值电压：2V 至 4V
总栅极电荷：29nC（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下可靠运行。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 具备热关断和过流保护功能，提升系统安全性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且兼容无铅焊接工艺。
6. 紧凑的 DPAK 封装，易于集成到各种 PCB 设计中。
7. 优秀的稳定性和一致性，适用于工业及汽车领域。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动电路中的高低侧开关。
5. 各类负载开关应用。
6. 电信设备及消费电子产品的电源模块。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
MTD6P10E, MTD6P10, IRF540N, FDP16N60
