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MTD6N10T4G 发布时间 时间:2025/5/27 18:59:06 查看 阅读:12

MTD6N10T4G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的增强型功率晶体管,适用于高频和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,广泛应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及电机驱动等领域。
  作为一款常关型(enhancement-mode)晶体管,MTD6N10T4G 在设计上能够支持高达 100V 的漏源电压,并且具备极低的导通电阻,从而有效降低功率损耗,提升系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:6A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:40nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

MTD6N10T4G 拥有以下显著特点:
  1. 基于增强型氮化镓技术,提供卓越的开关性能和效率。
  2. 极低的导通电阻 (3.5mΩ),有助于减少传导损耗并提高功率密度。
  3. 高速开关能力,适合高频应用,例如硬开关和软开关拓扑。
  4. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),增强了其在恶劣环境下的可靠性。
  5. 提供 TO-247-3 封装,便于散热管理与安装。
  6. 内置 ESD 保护电路,进一步提高了器件的鲁棒性。
  这些特性使得 MTD6N10T4G 成为高效功率转换应用的理想选择,尤其在需要紧凑设计和高性能表现的场景中。

应用

MTD6N10T4G 主要应用于以下领域:
  1. 高效 DC-DC 转换器。
  2. AC-DC 适配器和充电器。
  3. 图形卡供电模块 (VRM)。
  4. 工业电机驱动和控制。
  5. 可再生能源系统的功率转换。
  6. 通信电源和服务器电源供应。
  由于其高频特性和低损耗表现,这款器件非常适合要求高效率和高功率密度的设计。

替代型号

MTD6N08T4G, MTD6N12T4G

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