MTD6N10T4G 时间：2025/5/27 18:59:06 阅读：18

MTD6N10T4G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型功率晶体管，适用于高频和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，广泛应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及电机驱动等领域。
　　作为一款常关型（enhancement-mode）晶体管，MTD6N10T4G 在设计上能够支持高达 100V 的漏源电压，并且具备极低的导通电阻，从而有效降低功率损耗，提升系统效率。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：6A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：40nC
　　输入电容：1200pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-3

特性

MTD6N10T4G 拥有以下显著特点：
　　1. 基于增强型氮化镓技术，提供卓越的开关性能和效率。
　　2. 极低的导通电阻 (3.5mΩ)，有助于减少传导损耗并提高功率密度。
　　3. 高速开关能力，适合高频应用，例如硬开关和软开关拓扑。
　　4. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
　　5. 提供 TO-247-3 封装，便于散热管理与安装。
　　6. 内置 ESD 保护电路，进一步提高了器件的鲁棒性。
　　这些特性使得 MTD6N10T4G 成为高效功率转换应用的理想选择，尤其在需要紧凑设计和高性能表现的场景中。

应用

MTD6N10T4G 主要应用于以下领域：
　　1. 高效 DC-DC 转换器。
　　2. AC-DC 适配器和充电器。
　　3. 图形卡供电模块 (VRM)。
　　4. 工业电机驱动和控制。
　　5. 可再生能源系统的功率转换。
　　6. 通信电源和服务器电源供应。
　　由于其高频特性和低损耗表现，这款器件非常适合要求高效率和高功率密度的设计。