型号：MTD55N10J3
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：55 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：220 A
　　最大功耗（PD）：200 W
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：10.5 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：13.5 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：4000 pF
　　输出电容（Coss）：800 pF
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 ~ +175 °C
　　封装形式：TO-220 / D2PAK

MTD55N10J3采用先进的Trench沟道工艺技术，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来增加单位面积内的有效导电通道数量，从而显著降低导通电阻RDS(on)。其典型值在VGS=10V时仅为10.5mΩ，在同类100V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流工作条件下产生的导通损耗更低，有助于提高电源系统的整体效率并减少发热。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持良好的导通性能（RDS(on) ≤13.5mΩ），使其兼容于现代低电压逻辑驱动电路，例如PWM控制器或微处理器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这使得其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，可以降低驱动损耗并加快开关速度，从而减少开关过程中的交越损耗。这对于高频率DC-DC变换器、同步整流电路等要求快速响应和高效运行的场合尤为重要。同时，MTD55N10J3具备出色的热稳定性，其最大功耗可达200W（在理想散热条件下），结温范围宽达-55°C至+175°C，能够在极端环境温度下可靠运行。
　　器件还集成了多项保护特性，包括雪崩能量耐受能力和较强的dv/dt抗扰度，能够在负载突变或短路瞬态过程中吸收一定的能量而不损坏，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，MTD55N10J3符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保，适用于对环保有严格要求的工业和消费类电子产品。其TO-220或D2PAK封装形式便于安装于散热片上，实现有效的热量传导与散发，进一步保障长期工作的稳定性与寿命。

MTD55N10J3因其高电流承载能力、低导通电阻和优良的开关特性，被广泛应用于各类中高功率电源与电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，它常用于AC-DC和DC-DC转换器的主开关或同步整流器，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中发挥关键作用。其高效的能量转换能力有助于满足日益严格的能效标准，如80 PLUS认证要求。
　　在电机控制方面，MTD55N10J3可用于直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路中，作为上下桥臂开关元件，提供快速响应和低损耗的电流切换能力。其高dv/dt耐受性和抗噪声干扰能力确保了电机运行的平稳性和控制精度。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、太阳能逆变器和LED恒流驱动电源等应用。在汽车电子中，尽管非车规级版本不适用于严苛的车载环境，但MTD55N10J3仍可用于辅助电源、车载充电器或车载照明系统等次级电路中。其高可靠性和稳定的电气性能使其成为工业自动化设备、医疗仪器和测试测量设备中理想的功率开关选择。

IRF3205, FQP55N10, STP55NF10, IPB04N10N3G, AUIRF55N10