HM514400BS7 时间：2025/9/7 12:59:39 阅读：16

HM514400BS7是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的4Mbit（512K x 8）高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问特性，适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该器件采用52引脚TSOP封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在各种严苛环境中使用。

参数

容量：4Mbit
　　组织方式：512K x 8
　　电源电压：3.3V（典型值）
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP，52引脚
　　封装尺寸：标准TSOP
　　功耗：典型值100mA（待机模式下低至10mA）

特性

HM514400BS7 SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造，确保高速数据访问和稳定运行。其主要特性包括高速访问时间（最大55ns），支持快速数据读写操作，适用于实时系统和缓存应用。该芯片支持低功耗待机模式，在非活动状态下显著降低功耗，提升能效。
　　此外，该器件具有宽工作温度范围（-40°C至+85°C），适合工业环境应用，如工业控制、通信设备和嵌入式系统。其TSOP封装设计有助于节省PCB空间并提高散热性能。
　　该SRAM无需刷新操作，数据在供电状态下保持不变，提高了系统稳定性。此外，其兼容标准SRAM接口，便于集成到现有设计中，减少开发时间和成本。

应用

HM514400BS7广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的工业设备和嵌入式系统中。典型应用包括网络设备、工业控制器、通信模块、测试设备和便携式电子产品。由于其高速访问时间和低功耗特性，它也常用于缓存、缓冲存储器和实时数据处理场景。此外，该芯片适合用于替代较老的异步SRAM型号，在需要升级存储性能的设计中表现出色。